过滤如何推动下一波半导体创新：钼金属、ALD 和超摩尔技术的崛起
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长期以来，半导体行业一直遵循摩尔定律——不断追求更小、更快、更高效的器件。但如今，我们已进入一个新时代：超越摩尔定律。虽然我们仍在不断缩小尺寸，但同样重要的是，我们正朝着新材料、新架构以及构建微电子未来新方法的方向发展。
这场材料革命中，最突出的是什么？钼金属（Mo）。而在这背后，过滤——没错，就是过滤——在推动这一转变的过程中发挥着至关重要的作用。
为什么钼金属成为焦点
几十年来，钨一直是半导体触点和互连线的首选金属。但随着尺寸缩小到几纳米，钨的性能开始受到限制。这时，钼就派上用场了。
钼具有以下特性：
- 超薄尺寸下电阻率更低
- 更好的抗电迁移性
- 改善紧密几何形状中的台阶覆盖率
它改变了先进节点和 3D 架构的游戏规则。
但有一个问题：钼通常通过原子层沉积 (ALD) 技术从固体前体中输送。这些材料（通常以粉末形式储存）必须在 OEM 设备中的加热容器内气化，这给输送带来了挑战。为什么？因为这些蒸气的蒸汽压极低，而且具有化学腐蚀性。
过滤挑战：腐蚀性低压蒸汽
为了可靠、安全地输送钼前驱体，晶圆厂需要具备以下功能的过滤器：
- 耐腐蚀性化学物质
- 在高温条件下运行
- 保持超高纯度，无脱落或排气
- 处理极低的蒸汽压力，且不会出现明显的压降
大多数传统过滤解决方案根本无法满足这一需求。Mott GasShield® HiFlow™ 夹层过滤器正是为此而生。
专为先进材料而设计： HiFlow™ 夹层过滤器内部
Mott 的 GasShield® HiFlow™ 是业界第一款采用烧结金属纤维介质的使用点夹层式过滤器，它专为此类要求苛刻的 ALD 和前体输送应用而设计。
主要规格：
- 1.5 nm 处粒子保留率 >9 LRV (SEMI F38-0720)
- 全金属结构——无脱落，无排气
- 提供合金 C-22，非常适合卤化和腐蚀性蒸汽
- 额定温度为 460°C，用于输送高温惰性气体或前体
- 与传统圆盘过滤器相比，压降降低 25–35%
- 高于背景的零粒子贡献（SEMI F43-0308）
该过滤器外形紧凑（仅 1.12 英寸 x 1.12 英寸 x 0.49 英寸），可直接安装在组件和表面块之间，非常适合紧凑的工具布局、热区和车载 OEM 气箱。
为什么这对工程师和工具设计师很重要
如果您正在构建或改造用于先进节点的气体输送系统，特别是那些使用通过 ALD 进行钼沉积的系统，那么此过滤器就是为您打造的。
它给你：
- 新前驱体的材料兼容性
- 稳定、可预测的流速（部件间差异≤2%）
- 长期可靠性——在标准使用条件下保修 5 年
- C 型密封或定制 W 型密封配置中的即插即用集成
对于关注正常运行时间、工具安全和过程控制的工程师来说，这种安心是至关重要的。
结论：小过滤器带来大影响
“超越摩尔定律”不仅仅是一个流行词，更是行业发展的基础。Mott 正在帮助晶圆厂和原始设备制造商 (OEM) 正面应对这一挑战，提供能够处理下一代材料的过滤解决方案，包括腐蚀性、超低蒸气压的钼前驱体。
在追求更佳性能、更高产量和更清洁工艺的竞争中，细节至关重要——GasShield® HiFlow™ 夹层过滤器的设计充分考虑了每一个细节。
