Mott Corporation 推出 GasShield HiFlow 夹层过滤器
Mott 公司推出了 GasShield HiFlow 夹层过滤器，旨在满足下一代半导体制造的严格要求。 随着行业超越摩尔定律的发展，钼 (Mo) 等材料因其优于传统钨的性能（例如更低的电阻率和增强的抗电迁移性）而变得至关重要。
钼的集成需要原子层沉积 (ALD)，这需要专门的过滤解决方案来确保工艺稳定性。 Mott 的 GasShield HiFlow 夹层过滤器通过以下方式满足了这一需求：
- 高颗粒截留：根据 SEMI F38-0720，1.5 nm 时 LRV 超过 9。
- 全金属结构：消除脱落和排气。
- 卓越的耐腐蚀性：可与合金 C-22 一起用于卤化前体。
- 高温稳定性：最高460°C。
- 卓越的流动效率：与传统圆盘过滤器相比，压降降低 25–35%。
- 超高纯度：水分含量低于 10 ppb，碳氢化合物含量低于检测限。
- 紧凑型设计：尺寸为 1.12 英寸 x 1.12 英寸 x 0.49 英寸，便于集成到紧密的工具布局和高温环境中。
此外，该过滤器可确保稳定的流速（部件间变化≤2%），并在标准使用条件下提供五年可靠性保证。 其即插即用安装支持 C 型密封和定制 W 型密封选项。
保罗·霍夫曼Mott 半导体技术专家表示，“GasShield HiFlow 夹层过滤器是超越摩尔制造的关键推动因素，可确保更高的产量、更清洁的工艺以及基于 ALD 的钼沉积更可靠的性能设立的区域办事处外，我们在美国也开设了办事处，以便我们为当地客户提供更多的支持。“
