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Mott Corporation 推出 GasShield HiFlow 夹层过滤器

Mott 公司推出了 GasShield HiFlow 夹层过滤器,旨在满足下一代半导体制造的严格要求。 随着行业超越摩尔定律的发展,钼 (Mo) 等材料因其优于传统钨的性能(例如更低的电阻率和增强的抗电迁移性)而变得至关重要。

钼的集成需要采用原子层沉积 (ALD) 技术,而这又需要专门的过滤解决方案来确保工艺稳定性。Mott的 GasShield HiFlow 三明治过滤器通过以下方式满足了这一需求:

  • 高颗粒截留:根据 SEMI F38-0720,1.5 nm 时 LRV 超过 9。
  • 全金属结构:消除脱落和排气。
  • 卓越的耐腐蚀性:可与合金 C-22 一起用于卤化前体。
  • 高温稳定性:最高460°C。
  • 卓越的流动效率:与传统圆盘过滤器相比,压降降低 25–35%。
  • 超高纯度:水分含量低于 10 ppb,碳氢化合物含量低于检测限。
  • 紧凑型设计:尺寸为 1.12 英寸 x 1.12 英寸 x 0.49 英寸,便于集成到紧密的工具布局和高温环境中。

此外,该过滤器可确保稳定的流量(部件间差异≤2%),并在标准使用条件下提供五年可靠性保证。其即插即用的安装方式支持C型密封和定制W型密封两种选择。

Mott公司的半导体技术专家Paul Hofemann表示:“ GasShield HiFlow三明治过滤器是实现超越摩尔定律制造的关键推动因素,可确保在基于ALD的钼沉积中实现更高的良率、更清洁的工艺和更可靠的性能。”

了解我们的 GasShield® HiFlow™ 夹层过滤器如何推动半导体创新的未来。您可以点击此处阅读全文: Mott Corporation 推出 GasShield HiFlow 夹层过滤器

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